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　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重网络安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应(yīng)链造成重大安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络(luò)安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进(jìn)行网络安(ān)全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必(bì)要(yào)措施。中国(guó)坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量(chá)。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存储芯(xīn)片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在(zài)存(cún)储产业(yè)链上下游建立(lì)国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉(chén)积工(gōng)艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需(xū)求。据(jù)东京(jīng)电子披(pī)露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公碳的相对原子质量是多少，氮的相对原子质量司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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