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八千米多少公里

八千米多少公里 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一则(zé)突发消息。

  美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全审查

  据八千米多少公里(jù)网信(xìn)办消息,日(rì)前(qián),网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严重网络安全问题隐患,对(duì)我国(guó)关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影(yǐng)响(xiǎng)我国(guó)国家安全。为(wèi)此(cǐ),网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规,我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

  此次对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查,目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问题危害国家(jiā)关(guān)键信(xìn)息基础设施安全,是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放,只要遵守中国法律法规要(yào)求,欢(huān)迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业(yè)、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入(rù)中国(guó)市场。

  半导体突发!中(zhōng)国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月31日,中国网信网发文(wén)称,为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设施供应链安全,防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风(fēng)险,维护国(guó)家安(ān)全,依据《中华(huá)人(rén)民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安(ān)全法》,网络安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  美光八千米多少公里是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头,也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一,2022年收(shōu)入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计(jì),2021 年三(sān)星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在(zài)全球 DRAM (内存(cún))市(shì)场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中,江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng),至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应(yīng)商(shāng)。

  公(gōng)告(gào)显示, 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿元,占(zhàn)比(bǐ)33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购(gòu)金额(é)占比分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约,确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性,巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势,公司(sī)也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合作(zuò)。

  有券商此前就分析,如果美光在(zài)中国区(qū)销售受到(dào)限制,或将导(dǎo)致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士(shì),国内长江存储、长鑫存储等竞对产品(pǐn)

  分析称,长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的(de)深(shēn)孔,未来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟槽,催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù),薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75%。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān),设备国(guó)产化进程加速(sù),看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄膜沉积(jī))等相关公(gōng)司份额提升,以及存(cún)储业务占比较(jiào)高的华海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗(xǐ))等收入增长。

 

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