大家好，来看一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审查(chá)办(bàn)公室(shì)依(yī)法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关(guān)键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网(wǎng)络安全审(shěn)查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施(shī)安全，是(shì)维护国家安全的(de)必要措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高(gāo)水(shuǐ)平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场(chǎ文章千古事得失寸心知是谁的诗句名句，文章千古事 得失寸心知是谁的名句ng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维(wéi)护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存(cún)储芯片行业龙头，也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来自(zì)中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存(cún)储等公司(sī)披(pī)露过美光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显(xiǎn)著下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆(yuán)供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的(de)稳定性，巩(gǒng)固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关键、最(zuì)大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更(gèng)多(duō)设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提(tí)升，以及存(cún)储(chǔ)业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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