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　　美光公司在华销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全(quán)风险，影响我国国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护国(guó)家安全的必要措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类平台(tái)产(chǎn)品服务进入(rù)中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的产品实施(shī)网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大(dà)存(cún)储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大(dà)和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司(sī)也(香港区号是多少yě)与国(guó)内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关(guān)键、最大量(liàng)的加(jiā)工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步(bù)骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东(dōng)京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉香港区号是多少积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存储被(bèi)加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(香港区号是多少hǎo)拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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