大家好，来看一则突发消息。

　　美光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存(cún)在较(jiào)严重网络(luò)安全问题(tí)隐患(huàn)，对(duì)我(wǒ首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式)国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全(quán)风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营(yíng)者应停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害(hài)国家关键信息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国坚定(dìng)推进高水平对外(wài)开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应链安全(quán)，防范产(chǎn)品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据《中华人民(mín)共和国国家(jiā)安(ān)全(quán)法》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实(shí)施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储(chǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机(jī)构 Omd首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式ia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过(guò)美(měi)光等国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如(rú)果(guǒ)美光在中国(guó)区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致下游(yóu)客户转而采购(gòu)国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的(de)华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(首项和末项的公式是什么，小学等差数列基本的5个公式zhǎng)。

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