大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司在华销售产品进行了(le)网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不(bù)予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进(jìn)行网络(luò)安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安全(quán)，是维(wéi)护国(guó)家安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōn精彩演绎是什么意思解释，精彩演绎是啥意思g)国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应(yīng)链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全(quán)风险，维护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国家安(ān)全法》《中华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入(rù)来自中国市场收(shōu)入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商(sh精彩演绎是什么意思解释，精彩演绎是啥意思āng)。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位(wèi)列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大供应商(shāng)采(cǎi)购金额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业链上下游建(jiàn)立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国内长江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进(jìn)入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结(jié)构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān)，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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