大家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī91是质数吗，95是质数吗)在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办公室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络安全(quán)审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通过网(w91是质数吗，95是质数吗ǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网络安(ān)全法(fǎ)》等法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国(guó)家关键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保障关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安(ān)全风(fēng)险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络(luò)安全法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西(xī)部(bù)数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过(guò)美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经(jīng)不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在存储(chǔ)产业链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公(gōng)司也与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名(míng)单，设备国(guó)产(chǎn)化进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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