大家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公司在华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法对美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风险，影响我国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次(cì)对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信息基础(chǔ)设(shè)施安全，是维(wéi)护国家安全(quán)的必要(yào)措施(shī)。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链(liàn)安(ān)全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不(bù)是(shì)主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已可惜天空不作美的意思，天空不作美的意思下一句(yǐ)可惜天空不作美的意思，天空不作美的意思下一句经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游客(kè)户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备(bèi)需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存储被加(jiā)入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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