大家好，来(lái)看一则突发(fā)消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安全审查办公室依法(fǎ)对美(měi)光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供应链造成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法(fǎ)》等(děng)法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各(gè)类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安(ān)全风(fēng)险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头(tóu)之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来(lái)自中(zhōng)国(guó)市场收(shōu)入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在(zài)全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公(gōng)司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第一大、第二大和第(dì)三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器(qì)的(de)生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺步骤先中间后两先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些边的字有哪些 先外后内的字有哪些，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可(kě)能会(huì)更深(shēn)的孔(kǒng)或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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