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　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链造(zào)成重(zhòng)大(dà)安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是(shì)防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全(quán)的(de)必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求比较长的古诗词，比较长的古诗10句，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共(gòng)和(hé)国网络(luò)安(ān)全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国(guó)市场(chǎng)收入从此前高峰(fēng)57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙(lóng)、佰维存储等公司(sī)披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一大存(cún)储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链上下游建立国内(nèi)外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市(shì)场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内(nèi)长江(jiāng)存储、长鑫(xīn)存储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设(shè)备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xn比较长的古诗词，比较长的古诗10句m、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更多设(shè)备(bèi)需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉(c比较长的古诗词，比较长的古诗10句hén)积）等相(xiāng)关(guān)公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占(zhàn)比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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