大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公(gōng)司在华销售的产品(三氧化硫是酸性氧化物吗，二氧化碳和二氧化硫是酸性氧化物吗pǐn)未通(tōng)过(guò)网络(luò)安(ān)全审查

　　据网信(xìn)办(bàn)消息，日(rì)前，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了(le)网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我(wǒ)国关键信息(xī)基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通过(guò)网(wǎng)络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运营(yíng)者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安(ān)全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络(luò)安全问(wèn)题(tí)危害国家关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施安(ān)全，是维护国家安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开(kāi)放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据《中华人民共和国(guó)国(guó)家(jiā)安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储(chǔ)芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(三氧化硫是酸性氧化物吗，二氧化碳和二氧化硫是酸性氧化物吗měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿元三氧化硫是酸性氧化物吗，二氧化碳和二氧化硫是酸性氧化物吗，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存(cún)储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国(guó)内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制，或将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催(cuī)生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长。

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