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　　美(měi)光公(gōng)司在华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日(rì)前，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　审查(chá)发现，非常漂亮英文怎么写单词，非常漂亮英文怎么写怎么读trong>美(měi)光公司产品存(cún)在较严(yán)重网(wǎng)络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安(ān)全审(shěn)查(chá)的(de)结(jié)论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律法规，我国(guó)内关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光公司(sī)产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安(ān)全，是(shì)维护(hù)国家安全的必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要(yào)求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息(xī)基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国(guó)国家安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安(ān)全(quán)审查办公室按(àn)照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公(gōng)司中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等(děng)公司(sī)披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也(yě)与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光在中国区销售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士(shì)，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存(非常漂亮英文怎么写单词，非常漂亮英文怎么写怎么读cún)储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜(mó)沉积(jī)工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加(jiā)速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份(fèn)额提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华(huá)海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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