大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题(t怎敢误佳人的前一句是什么意思，两袖清风怎敢误佳人下一句怎么接í)隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定(dìng)推(tuī)进高水(shuǐ)平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各类平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产品(pǐn)实(shí)施网络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光(guāng)是美(měi)国的存(cún)储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经(jīng)显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已(yǐ)经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市场的供应优(yōu)势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前(qián)就分析(xī)，如果美(měi)光在(zài)中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的(de)华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入(rù)增长。

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