大家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网(wǎng)络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安全(quán)审查办公室依法作出不予(yǔ)通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查的结论。按照(zhào)《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设(shè)施共享充电宝最高1小时10元，共享充电宝怎么申请投放的运营者应停止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的是防范产品网络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措(cuò)施。中国坚定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú)，欢(huān)迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设(shè)施(shī)供应链安全，防(fáng)范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安全(quán)法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部(bù)数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前(qián)就分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在中国(guó)区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计(jì)为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限制名(míng)单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及(jí)存储业务(共享充电宝最高1小时10元，共享充电宝怎么申请投放wù)占比较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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