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　　美光公(gōng)司在华销售的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日(rì)前(qián)，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网(wǎn下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长g)络安(ān)全审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者应(yīng)停止采购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是防范(fàn)产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文(wén)称，为保障关(guān)键信息基础设施供应(yīng)链安全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维护(hù)国家安全，依据《中华(huá)人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民(mín)共和国网络安全法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际(jì)存储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长(xiǎn)著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供(gōng)应(yīng)商采购(gòu)金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波(bō)龙已经在(zài)存(cún)储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥(féi)长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游下士军衔是什么级别 下士是班长还是副排长客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每(měi)层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收入增(zēng)长。

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