大(dà)家好，来看一则突发(fā)消息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司产(chǎn)品存在(zài)较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全(quán)。为(wèi)此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安(ān)全(quán)审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国(guó)家(jiā)关键信(xìn)息基(jī)础设施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高水平(píng)对(duì)外(wài)开(kāi)放，只要(yào)遵(zūn)守中国法律法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业(yè)、各类平(píng)台产(chǎn)品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为(wèi)保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造(zào)成(chéng)网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家安(ān)全(quán)法》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国(guó)市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存(cún)）市(shì)场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储厂商(shāng)为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波龙第(dì)一大(dà)存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确(què)保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下游(yóu)客(kè)户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游设备厂或(hu不甚是什么意思解释，不甚了然是什么意思ò)从中受益(yì)。存(cún)储器的(de不甚是什么意思解释，不甚了然是什么意思)生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的(de)加(jiā)工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来不甚是什么意思解释，不甚了然是什么意思可(kě)能会更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名(míng)单，设备国产(chǎn)化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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