大家好，来看一则突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法(fǎ)对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重(zhòng)网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查(chá)办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国(guó)内关键(jiàn)信息基(jī)础设施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品(pǐn)网络安(ān)全问三角形中线长公式是什么，中线长公式是什么原因(wèn)题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放(fàng)，只要(yào)遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按(àn)照《网(wǎng)络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至(zhì)少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前三角形中线长公式是什么，中线长公式是什么原因江(jiāng)波龙已经在存储产业(yè)链上下游建立(lì)国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署(shǔ)了(le)长期合约，确(què)保(bǎo)存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能(néng)会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合(hé)计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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