大家(jiā)好，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售(shòu)的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安(ān)全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较(jiào)严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依(yī)法(fǎ)作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链(liàn)安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和(hé)国(guó)网络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是(shì)全(quán)球存储(chǔ丧尸最怕什么东西，丧尸最怕什么颜色)芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光等(děng)国际(jì)存储厂(chǎng)商(shāng)为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定(dìng)性(xìng)，巩固(gù)公(gōng)司在下游市(shì)场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到(dào)限制(zhì)，或将导致(zhì)下(xià)游客户转(zhuǎn)而丧尸最怕什么东西，丧尸最怕什么颜色采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加入美国(guó)限(xiàn)制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。

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