美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安(ān)全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查(chá)办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止采购(gòu)美(měi)光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中国坚(jiān)定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务(wù)进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保障关键信息(xī)基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中华人(rén)民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商(shāng)为(wèi)公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采(c事出有因必有妖下一句怎么回，事出反常必有妖,人若反常必有刀,言不由衷定有鬼ǎi)购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已(yǐ)经(jīng)在存储产业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市(shì)场的供(gōng)应优势，公(gōng)司(sī)也与(yǔ)国内国(guó)产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为(wèi)最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟(gōu)槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司份额提(tí)升(shēng)，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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