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　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络(luò)安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息基础设(shè)施(shī)的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光公司(sī)产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问题危害国(guó)家关键信息基(jī)础(chǔ)设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法(fǎ)律法(fǎ)规(gu天肖有几个生肖 天肖是哪六个肖ī)要(yào)求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网天肖有几个生肖 天肖是哪六个肖(wǎng)发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品实施网络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储芯片(piàn)行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子(zi)、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一(yī)大存储(chǔ)晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第(dì)三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券(quàn)商此前就(jiù)分析，如(rú)果(guǒ)美光在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞(jìng)对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器的(de)生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Zn天肖有几个生肖 天肖是哪六个肖m的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加(jiā)入(rù)美国限制名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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