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　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网络安全坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安全审查办公室(shì)依法对(duì)美(měi)光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础设施(shī)供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予坏垣是什么意思啊，破屋坏垣适合装修吗通过(guò)网络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关(guān)键信息基(jī)础设施(shī)的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的(de)必(bì)要(yào)措施。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要(yào)遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐患造成网络(luò)安全风险，维护(hù)国(guó)家安全(quán)，依据《中华人(rén)民共(gòng)和国国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国网(wǎng)络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全(quán)审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光(guāng)是(shì)美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全(quán)球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经(jīng)显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在(zài)下游市(shì)场的(de)供(gōng)应优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美(měi)光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将导致(zhì)下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄膜成(chéng)为最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化进程加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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