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不走心是啥意思,不走心是啥意思网络用语 半导体突发!中国出手:停止采购!

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  大家(jiā)好,来看一则突发消息。

  美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

  据网(wǎng)信办消息,日前(qián),网络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患,对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险,影响我国国家安全。为此,网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī),我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品。

  此次对美光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查,目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础设施安全,是维(wéi)护国家安全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放,只要遵守中国法律法规要(yào)求(qiú),欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国不走心是啥意思,不走心是啥意思网络用语市(shì)场。不走心是啥意思,不走心是啥意思网络用语

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  3月(yuè)31日(rì),中国(guó)网信(xìn)网发文称,为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全,防范产品问题隐患(huàn)造成网络安(ān)全(quán)风险,维护(hù)国家安全,依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网络(luò)安(ān)全法》,网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销售(shòu)的产品实施(shī)网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采购!

  美光是美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头,也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一,2022年(nián)收(shōu)入来自(zì)中国市场收入从此前高峰57%降至2022年(nián)约11%。根(gēn)据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约为 96.76%,三(sān)星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光(guāng)在全球 DRAM (内(nèi)存)市场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中(zhōng),江波龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比(bǐ)已经显著下降,至(zhì)少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商(shāng)。

  公(gōng)告显示, 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约,确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng),巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优势,公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析(xī),如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制,或(huò)将(jiāng)导(dǎo)致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

  分析(xī)称,长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài),2 维(wéi)到3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量(liàng)的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤,同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60:1的(de)深孔(kǒng),未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽,催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù),薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开(kāi)支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名(míng)单,设(shè)备国产化进程(chéng)加速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等(děng)相关公司份额(é)提升,以及(jí)存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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