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　　美光(guāng)公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依(yī)法对(duì)美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)心情五味杂陈啥意思，打翻了五味杂陈啥意思造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设(shè)施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安(ān)全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全(quán)问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施(shī)安全，是维护国家安(ān)全的必(bì)要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只(zhǐ)要遵守中国法律心情五味杂陈啥意思，打翻了五味杂陈啥意思法(fǎ)规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入中国市(shì)场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国家(jiā)安全(quán)，依(yī)据《中华人民(mín)共和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办法》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头(tóu)之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美(měi)光等国(guó)际存(cún)储厂商为公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波(bō)龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第(dì)三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经(jīng)在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年(nián)年(nián)报显示，江(jiāng)波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国(guó)产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保(bǎo)持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转变使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深孔，未来可(kě)能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存(cún)储(c心情五味杂陈啥意思，打翻了五味杂陈啥意思hǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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