大家(jiā)好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全审查的(de)结论(lùn)。按照(zhào)《网络(luò)安全法》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础设施的运营(yíng)者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司产品。

　　此次(cì)对美光(guāng)公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家(jiā)安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平(píng)台产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华人民(mín)共和国(guó)国家安全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国(guó)网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入(rù)从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omkj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心dia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司(sī)披(pī)露过美光等(děng)国(guó)际存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在(zài)江波龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少(shǎo)已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已(yǐ)经在存储(chǔ)产业链上下游(yóu)建立国内外广泛(fàn)合(hé)作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂签(qiān)署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的(de)供应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥(féi)长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导致下游(yóu)客(kè)户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄kj完是吞了还是吐了知乎，kj是不是很恶心膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限(xiàn)制(zhì)名单，设(shè)备国产化(huà)进(jìn)程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额提(tí)升，以及存储业务占比较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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