大家好，来看(kàn)一则突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在华销售的(de)产品未通过网络安全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前(qián)，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华(huá)销售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查(chá)。

　　审查发现，美光公司产(chǎn)品存(cún)在较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安(ān)全风险，影(yǐng)响我(wǒ)国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美(měi)光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵(zūn)守中国法律法规(guī)要(yào)求，欢(huān)迎(yíng)各国企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险，维护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民(mín)共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施(shī)网络安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自(zì)中国市场收(shōu)入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约(yuē)11％。根据(jù)市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立(lì)国(guó)内外(wài)广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 S议论文论点论据论证是什么意思，论点论据论证是什么意思举例子K海(hǎi)力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器议论文论点论据论证是什么意思，论点论据论证是什么意思举例子的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜(mó)成(chéng)为最(zuì)关键(jiàn)、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜(mó)沉积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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