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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐ解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音n)进(jìn)行(xíng解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存(cún)在(zài)较严重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施(shī)供应链造成(chéng)重大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予(yǔ)通过网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查的结(jié)论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律(lǜ)法规，我国内关键信息基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推(tuī)进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键信息(xī)基础设施(shī)供应链安全，防范(fàn)产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全(quán)法》，网络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自(zì)中国市场(chǎng)收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等(děng)国际存储厂商为公(gōng)司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一(yī)大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上下(xià)游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等(děng)主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士解是多音字吗怎么读，解字是多音字都有什么音，国内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经(jīng)进入(rù)3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露，薄膜(mó)沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好(hǎo)拓(tuò)荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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