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　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络安(ān)全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存(cún)在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐(yǐn)患(huàn)，对我(w如何把对象玩成喷泉状态，怎么让自己女朋友喷泉ǒ)国(guó)关键信息(xī)基础设施供应链造成重大(dà)安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室依法作出(chū)不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网(wǎng)络安全审查，目的(de)是(shì)防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定推进(jìn)高水(shuǐ)平(píng)对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造(zào)成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网(wǎng)络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全(quán)审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存(cún)储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建(jiàn)立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或如何把对象玩成喷泉状态，怎么让自己女朋友喷泉(huò)将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂或从中受(shòu)益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目(mù)前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者(zhě)沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关(guān)公司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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