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　　美光公(gōng)司在华销售(shòu)的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安(ān)全(quán)审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国(guó)关键信息基础(c寒江孤影江湖故人相逢何必曾相识是什么意思，寒江孤影四句诗是什么意思hǔ)设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重(zhòng)大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行网(wǎng)络安全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要(yào)遵守中(zhōng)国(guó)法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎各国企业、各类平台产品服(fú)务进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华人民(mín)共和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公(gōng)室按照(zhà寒江孤影江湖故人相逢何必曾相识是什么意思，寒江孤影四句诗是什么意思o)《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美(měi)国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约为(wèi) 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙(lóng)、佰(bǎi)维(wéi)存(cún)储等公司披露过美光等国际存储厂商(s寒江孤影江湖故人相逢何必曾相识是什么意思，寒江孤影四句诗是什么意思hāng)为公司(sī)供(gōng)应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下降(jiàng)，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公司也(yě)与国(guó)内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区(qū)销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致(zhì)下游(yóu)客户转而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使(shǐ)刻蚀(shí)和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美(měi)上(shàng)海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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