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　　美光公司在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对(duì)我国关键信息基(jī)础设(shè)施供应链造成重大(dà)安(ān)全(quán)风险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此(cǐ)，网络安(ān)全审查办(bàn)公室依法作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审查的结(jié)论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设write的过去分词怎么用，write的过去分词英语施的(de)运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查(chá)，目(mù)的是防范产(chǎn)品网络安全(quán)问(wèn)题危害国家(jiā)关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国(guó)家安(ān)全的(de)必(bì)要措施(shī)。中国坚定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问(wèn)题隐患造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安(ān)全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对(duì)美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实(shí)施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购(gòu)占(zhàn)比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年(nián)年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等(děng)主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳(wěn)定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的(de)供(gōng)应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或(huò)将导(dǎo)致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　<write的过去分词怎么用，write的过去分词英语4px;'>write的过去分词怎么用，write的过去分词英语strong>分析(xī)称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受益(yì)。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限(xiàn)制名(míng)单，设备国(guó)产化进(jìn)程(chéng)加(jiā)速(sù)，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及(jí)存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长。

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