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　　美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依(yī)法对美光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键心情五味杂陈啥意思，打翻了五味杂陈啥意思(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室依法作(zuò)出(chū)不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结(jié)论。按(àn)照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础(chǔ)设施的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网络(luò)安全(quán)问(wèn)题危害国家关键信息基(jī)础设施安全，是维护(hù)国家(jiā)安全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开(kāi)放，只(zhǐ)要(yào)遵守中国(guó)法律法规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基(jī)础设施供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实(shí)施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场(chǎng)份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储晶(jīng)圆供(gōng)应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大(dà)和(hé)第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下(xià)游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星(xīng)、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应(yīng)优势，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分(fēn)析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存(cún)储心情五味杂陈啥意思，打翻了五味杂陈啥意思、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进(jìn)入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过(guò)薄(báo)膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东京电子(zi)披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被加(jiā)入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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