大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息。

　　美光公司在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全(quán)审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日(rì)前(qián)，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产(chǎn)品(pǐn)存(cún)在(zài)较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依法作(zuò)出不予通过网络(luò)安全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行(xíng)网络安(ān)全(quán)审查，目(mù)的是防(fáng)范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国家(jiā)安全(quán)的必(bì)要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依(yī)据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国家安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民(mín)共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全审查。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披(pī)露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江(jiāng)波龙采购占比已经(jīng)显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi自相矛盾选自哪本书作者是谁，自相矛盾选自哪本书作者是谁时期r: #ff0000; line-height: 24px;'>自相矛盾选自哪本书作者是谁，自相矛盾选自哪本书作者是谁时期)列江波龙第一(yī)大存(cún)储晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛(fàn)合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供(gōng)应(yīng)的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在(zài)下(xià)游市场的供应优势，公司也与国内国产存(cún)储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分(fēn)析(xī)称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或(huò)从中(zhōng)受益(yì)。存储器的生(shēng)产已(yǐ)经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催生(shēng)更(gèng)多设备需求。据东京电子披露(lù)，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江存(cún)储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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