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weather可数吗感叹句,a bad weather可数吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看一(yī)则(zé)突发消(xiāo)息。

  美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

  据网信办(bàn)消息,日前,网络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行(xíng)了(le)网络安全审查。

  审(shěn)查(chá)发现,美光公司产品存(cún)在较严重网络(luò)安全问题(tí)隐患,对(duì)我国关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险,影响我(wǒ)国国(guó)家安全。为此,网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审(shěn)查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法(fǎ)规(guī),我国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品。

  此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审(shěn)查,目的是防范产品网络安全问题(tí)危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安全,是维护(hù)国家(jiā)安全(quán)的(de)必要措(cuò)施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中(zhōng)国市场。

  半导体突(tū)发!中国出手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键信息基础设施供应链安(ān)全,防范产品问题隐患造(zào)成网络(luò)安全(quán)风险,维护国家安全,依据《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安(ān)全审查办公室按照(zhào)《网(wǎng)络安全审查办法》,对(duì)美光公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品(pǐn)实(shí)施(shī)网络安全(quán)审查。

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  美光是美国的存储芯片行业(yè)龙头,也是全球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据市场咨询机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM (内(nèi)存(cún))市场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显(xiǎn)著下降,至少已经不(bù)是主要大供应商。

  公告显示, 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一(yī)大(dà)存储晶圆供(gōng)应商,采购约31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一(yī)大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建(jiàn)立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波(bō)龙与(yǔ)三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主(zhǔ)要存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约,确保(bǎo)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定(dìng)性,巩固公司在(zài)下游市(shìweather可数吗感叹句,a bad weather可数吗)场的供应优势,公司也与国内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合(hé)作。

  有券商此(cǐ)前就分析,如果(guǒ)美光在中国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制,或将(jiāng)导致(zhì)下(xià)游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士,国(guó)内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的上游(yóu)设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代,2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60:1的深孔,未来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽,催生更多设备需求。据东京电子(zi)披露,薄膜(mó)沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合计为(wèi)75%。自长江存储被加入美国限制名单,设备国(guó)产化进程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜沉积)等相关(guān)公司份(fèn)额提(tí)升,以及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高的华海清科(CMP)、盛美上海(清洗(xǐ))等收入增(zēng)长。

 

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