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　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严重(俄罗斯妹子很容易追吗，俄罗斯的妹子好追吗zhòng)网络安全(quán)问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国家(jiā)安(ān)全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基(jī)础设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全审查，目的(de)是防范产品网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚(jiān)定推(tuī)进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全(quán)法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络安(ān)全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对(duì)美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数(shù)据(jù)、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海俄罗斯妹子很容易追吗，俄罗斯的妹子好追吗力士、美光(guāng)在(zài)全球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江波龙、佰维存(cún)储等公司披露(lù)过(guò)美(měi)光(guāng)等国(guó)际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著(zhù)下降(jiàng)，至(zhì)少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的(de)俄罗斯妹子很容易追吗，俄罗斯的妹子好追吗供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存(cún)储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中国(guó)区(qū)销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备(bèi)厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为(wèi)最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前前(qián)沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的(de)孔或者沟槽，催生更(gèng)多(duō)设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入(rù)美国限制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收入增长。

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