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　　美(měi)光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公室依法对美(měi)光公司(sī)在华销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查(chá)2l是多少毫升 2l是多少升发现，美光公司产品存在较严(yán)重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查的(de)结论。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者应停止采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产品网络安全问(wèn)题危害(hài)国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安(ān)全(quán)的必要(yào)措(cuò)施。中国坚定推进高水平对(duì)外(wài)开放，只要遵守中国(guó)法律法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平(píng)台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障(zhàng)关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造(zào)成网络(luò)安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室按照《网络安全审查办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销售的(de)产品实施网络安全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　美光是美(měi)国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收入来自(zì)中国市场收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下(xià)降，至少已(yǐ)经不是2l是多少毫升 2l是多少升(shì)主要(yào)大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业(yè)链上下游建(jiàn)立国内(nèi)外(wài)广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶(jīng2l是多少毫升 2l是多少升)圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长江(jiāng)存(cún)储、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存(cún)储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关(guān)键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同时(shí)刻(kè)蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单(dān)，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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