大家好，来看(kàn)一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司在华销售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全审查办公室(shì)依法对美光公司在华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品进行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严(yán)重(zhòng)网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作(zuò)出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安(ān)全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安(ān)全法》等(děng)法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基(jī)础设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息(xī)基础设施安(ān)全，是(shì)维(wéi)护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚(jiān)定推进酒店的大镜子对着床做什么用的，酒店的镜子对着床做什么用的(jìn酒店的大镜子对着床做什么用的，酒店的镜子对着床做什么用的)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企(qǐ)业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成(chéng)网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美(měi)光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙(lóng)第(dì)一大(dà)存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西(xī)部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在(zài)下(xià)游(yóu)市场的供应(yīng)优(yōu)势，公司也与国内(nèi)国产(chǎn)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析，如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能(néng)会更深的孔或者(zhě)沟槽，催生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开(kāi)支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄(báo)膜(mó)沉积）等相关(guān)公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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