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　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全审(shěn)查(chá)办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题隐患，对(duì)我国关键信息(xī)基础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响(xiǎng)我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规(guī)，我国内关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施的(de)运(yùn)营者应(yīng)停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此(cǐ)次(cì)对美光公司产(chǎn)品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范(fàn)产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关(guān)键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家(jiā)安全(quán)法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对美光公(沈阳所有中专学校名单一览表，沈阳所有中专学校名单表gōng)司（Micron）在(zài)华(huá)销(xiāo)售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是(shì)全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一(yī)，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士(shì)、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应(yīng)商采购金额占(zhàn)比分别(bié)是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储(chǔ)产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场的供(gōng)应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国(guó)内国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长江(jiāng)存储、合(hé)肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的合作。

　　有券商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫(xīn)的上游设备(bèi)厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄(báo)膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备(bèi)需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海(hǎi)（清(qīng)洗）等收入增长。

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