大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华销(xiāo)售的(de)产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查

　　据网信办消息(xī)，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办公室依法(fǎ)对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对我国(guó)关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全(quán)法》等法律法(fǎ)规，我国内关键(jiàn)信息基础设施的(de)运营者(zhě)应(yīng)停止采购(gòu)美光公司产品。一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排

　　此次(cì)对美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关键(jiàn)信息(xī)基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推(tuī)进高(gāo)水平对(duì)外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家(jiā)安(ān)全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络(luò)安全法》，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨(jù)头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　一个团几个营几个连，一军一师一团一营一连一排目(mù)前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上下游建立国(guó)内外(wài)广(guǎng)泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了长期合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美(měi)光在中(zhōng)国区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器(qì)的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收(shōu)入增长。

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