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铜祖在古代是干什么的,铜祖是什么用处

铜祖在古代是干什么的,铜祖是什么用处 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一(yī)则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

  美(měi)光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查

  据网(wǎng)信办(bàn)消息,日前,网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审查。

  审查发现,美光(guāng)公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安全风险,影(yǐng)响我(wǒ)国国家安全。为此(cǐ),网络安全(quán)审(shěn)查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查(chá)的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规,我(wǒ)国内(nèi)关键(jiàn)信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

  此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审查,目的是(shì)防铜祖在古代是干什么的,铜祖是什么用处(fáng)范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题危害国家关键信息基础设施安全,是维(wéi)护国(guó)家安全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放,只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求(qiú),欢迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

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  3月31日,中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称,为保障关键信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全(quán),防范产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险,维护国家安全,依(yī)据《中华人民共和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》,网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》,对美光(guāng)公(gōng)司(Micron)在华销(xiāo)售的(de)产品实施网络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中国出手:停止采(cǎi)购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也是(shì)全球存(cún)储芯片(piàn)巨(jù)头(tóu)之(zhī)一,2022年收入来自(zì)中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额(é)约为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股上(shàng)市公司中(zhōng),江波龙、佰维存储等(děng)公司披(pī)露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司(sī)供(gōng)应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng),至少(shǎo)已经不是主(zhǔ)要大供应商。

  公告(gào)显示, 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商,采购约31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第一大、第二(èr)大(dà)和(hé)第三大供应商采(cǎi)购(gòu)金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目(mù)前江波龙已经(jīng)在存储(chǔ)产业链上下(xià)游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示,江(jiāng)波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期合(hé)约(yuē),确保存储晶(jīng)圆(yuán)供应(yīng)的稳定性,巩固公司在下游市场的(de)供应优(yōu)势(shì),公(gōng)司(sī)也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合(hé)肥(féi)长鑫保(bǎo)持良好的合作。

  有券商(shāng)此前就分析,如果美光(guāng)在(zài)中国(guó)区销售受(shòu)到限制(zhì),或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士,国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长存(cún)、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受(shòu)益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤,同(tóng)时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟(gōu)槽,催生更(gèng)多(duō)设(shè)备需求。据东京电子披露,薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75%。自长江存储被(bèi)加入美国限制名单,设(shè)备国产(chǎn)化进程加速,看好拓荆科技(薄膜沉积(jī))等相关(guān)公(gōng)司份(fèn)额(é)提升,以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(hǎi)(清洗)等收入(rù)增长(zhǎng)。

 

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