大家好(hǎo)，来看一则突发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在华销(xiāo)售产品进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基(jī)础设施供应链(liàn)造(zào)成(chéng)重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法作出不予通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网络(luò)安全法》等(děng)法律法规，我国内关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)的运营(yíng)者应停(tíng)止采购美光(guāng)公司产(chǎn)品。

　　此次(cì)对(duì)美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的(de)是防范产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络(luò)安(ān)全风险，维护国家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和(hé)国国家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络安全审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销售(shòu)的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前(qián)高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据(jù)市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美(měi)光在江(jiāng)波(bō)龙采购占比已经显(xiǎn)著下降，至少已经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美(měi)光位(wèi)列江波(bō)龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储(chǔ)产业描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句链上下游建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数(shù)据(jù)等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在下(xià)游市场的供应优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江存(cún)储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持(chí)良好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而采购国(guó)外三星、 SK海力士(shì)，国内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从(cóng)中受益。存储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过(guò)薄膜沉(chén)积(jī)工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支合计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)描写瘦西湖春天的诗句，扬州瘦西湖美景佳句海（清洗）等收入增长。

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