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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通(tōng)过网络安全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日(rì)前，网络(luò)安全审查办公(gōng)室依法对美(měi)光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成重大安全风(fēng)险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依(yī)法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内关键信(xìn)息基础设施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安(ān)全问题(tí)危害国(guó)家(jiā)关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础设施安全，是(shì)维护国家安(ān)全的必(bì)要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高(gāo)水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平(píng)台(tái)产品服务(wù)进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发文称，为保障(zhàng)关(guān)键信息(xī)基础设施供应链(liàn)安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造(zà网络上说的310什么意思，网络上说的310什么意思啊o)成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护(hù)国家安(ān)全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国(guó)国家安(ān)全法》《中华人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售(shòu)的产品实(shí)施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光(guāng)网络上说的310什么意思，网络上说的310什么意思啊等国际存(cún)储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是(shì)主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙(lóng)第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大(dà)供应商(shāng)采(cǎi)购金额占(zhàn)比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广(guǎng)泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备(bèi)厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成为最关(guān)键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉积(jī)设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制名单，设备(bèi)国产(chǎn)化进程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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