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多多担待是什么意思 多多担待是敬语吗 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来(lái)看(kàn)一(yī)则突发消(xiāo)息(xī)。

  美光公司在华(huá)销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络安全审(shěn)查

  据网信办消息,日(rì)前(qián),网络安全审查(chá)办公室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了(le)网络(luò)安全审查。

  审(shěn)查发现,美光公司产品存在较严(yán)重网络(luò)安全问题(tí)隐患,对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险,影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此,网络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审(shěn)查的结论。按照《网络安全法》等法律法规,我国内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查(chá),目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán),是(shì)维(wéi)护(hù)国(guó)家安全的必要(yào)措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各(gè)类平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

  半(bàn)导体突(tū)发!中(zhōng)国出手(shǒu):停止采购!

  3月31日,中国网信(xìn)网发文称,为保障关键(jiàn)信息(xī)基(jī)础(chǔ)设(shè)施供应链安全,防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险,维护国(guó)家安(ān)全,依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人(rén)民共和国网络安全法》,网(wǎng)络安全(quán)审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光(guāng)公司(Micron)在华销(xiāo)售的产品实施网络(luò)安全(quán)审查。

  半(bàn)导体突(tū)发!中国出手:停止采购!

  美光是美国的存储芯片行业龙头,也(yě)是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头(tóu)之一,2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57%降至(zhì)2022年约11%。根据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场(chǎng)份额约(yuē)为 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35%。

  A股上市(shì)公司中,江波(bō)龙、佰维存储(chǔ)等(děng)公司披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存(cún)储厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

  美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大(dà)供应商多多担待是什么意思 多多担待是敬语吗

  公告显示, 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存(cún)储晶圆(yuán)供应(yīng)商,采购约(yuē)31亿元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经(jīng)在(zài)存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报(bào)显示,江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约(yuē),确保存储晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的供应优势,公司(sī)也与国(guó)内国(guó)产存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

  有券商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析,如果美光(guāng)在中国区(qū)销售(shòu)受到(dào)限制(zhì),或将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60:1的深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽,催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披露(lù),薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75%。自(zì)长江存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单,设备国产化进(jìn)程加(jiā)速,看好拓荆科技(薄膜(mó)沉积)等相关公司份额(é)提升,以及(jí)存(cún)储业务占比较高(gāo)的(de)华(huá)海清科(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收(shōu)入(rù)增长。

 

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