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1千克水等于多少毫升水,一1升水等于多少毫升 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息。

  美光公(gōng)司在华销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)

  据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī),日前,网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审(shěn)查发现(xiàn),美光公司产品存在(zài)较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐患,对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造(zào)成(chéng)重大安(ān)全风险,影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此,网络安(ān)全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过(guò)网络安(ān)全审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规,我(wǒ)国内关键信息(xī)基础设施的运营(yíng)者应停止采购美光公司产1千克水等于多少毫升水,一1升水等于多少毫升品。

  此次(cì)对美光公司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查,目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息(xī)基础设施安全,是维护国家(jiā)安(ān)全的必要(yào)措施。中国(guó)坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放,只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求,欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

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  3月(yuè)31日,中国网信网发文称,为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全(quán),防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险,维(wéi)护国家安全,依据《中华(huá)人民共和国国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》,网络(luò)安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》,对(duì)美光(guāng)公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全审查。

  半导体突发!中国出手:停止(zhǐ)采购!

  美光是美国的存(cún)储芯片行(xíng)业龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨头之一,2022年收入来自中国市场收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57%降(jiàng)至(zhì)2022年约11%。根(gēn)据市场咨(zī)询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部(bù)数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存)市场份额约为 96.76%,三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全(quán)球 DRAM (内存)市场份额约为 94.35%。

  A股(gǔ)上市公司中,江(jiāng)波(bō)龙、佰维存(cún)储等公(gōng)司(sī)披露(lù)过美(měi)光等国际存储厂商为公司供应商。

  美光在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已经显著(zhù)下降,至少(shǎo)已经不是主要大(dà)供应商。

  公(gōng)告显示, 2021年(nián)美光位(wèi)列江波(bō)龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江(jiāng)波龙第一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占比分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前(qián)江波(bō)龙已经(jīng)在(zài)存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国(guó)内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示,江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约(yuē),确(què)保存(cún)储晶1千克水等于多少毫升水,一1升水等于多少毫升圆供应的(de)稳定性,巩固公司(sī)在(zài)下游市(shì)场(chǎng)的供(gōng)应优势,公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良(liáng)好(hǎo)的合(hé)作(zuò)。

  有(yǒu)券(quàn)商此(cǐ)前就(jiù)分(fēn)析,如(rú)果(guǒ)美光在中(zhōng)国区销售(shòu)受到限制,或将导致下游客户转而采购国外(wài)三(sān)星、 SK海力士(shì),国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储等竞对产品

  分(fēn)析称,长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中(zhōng)受(shòu)益。存(cún)储器的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和(hé)薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉(chén)积工(gōng)艺步骤,同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿要刻到 60:1的深孔(kǒng),未(wèi)来(lái)可能会(huì)更深的孔或者沟槽(cáo),催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披(pī)露,薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75%。自(zì)长(zhǎng)江(jiāng)存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单,设(shè)备国产化进程加速(sù),看(kàn)好拓荆科(kē)技(薄膜(mó)沉(chén)积)等相(xiāng)关公司份(fèn)额提升,以(yǐ)及存储业务(wù)占比较高的华(huá)海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等收入增长。

 

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