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cpb属于哪个档次的,cpb属于什么档次的 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突发消息(xī)。

  美光公司在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)未(wèi)通(tōng)过网络安全审查(chá)

  据网信(xìn)办(bàn)消息,日前,网络(luò)安全审查办公室依法对美光公司在(zài)华销售产品进行了(le)网(wǎng)络安全审查(chá)。

  审查发现,美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患,对我国关键(jiàn)信息(xī)基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成(chéng)重大安全风险,影响我国国家(jiā)安全。为(wèi)此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网(wǎng)络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法(fǎ)律法规,我国内(nèi)关键信息(xī)基础设(shè)施的运营(yíng)者(zhě)应停止采购(gòu)美光公司产(chǎn)品。

  此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查,目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安(ān)全,是维护(hù)国(guó)家(jiā)安全的必要措施(shī)。中国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放,只(zhǐ)要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求(qiú),欢(huān)迎各(gè)国企业(yè)、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

  半导体突(tū)发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月(yuè)31日(rì),中国网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng),为保障关键信息基础设施供应链安全,防(fáng)范(fàn)产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险,维护国家安全,依据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全(quán)法》,网(wǎng)络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查。

  半导体突发(fā)!中国出(chū)手(shǒu):停(tíng)止(zhǐ)采(cǎi)购!

  美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头,也是全球(qiú)存储芯片巨(jù)头(tóu)之一,20cpb属于哪个档次的,cpb属于什么档次的22年(nián)收(shōu)入(rù)来自中国市(shì)场(chǎng)收(shōu)入(rù)从此前高峰(fēng)57%降至2022年约11%。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西(xī)部数(shù)据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash (闪(shǎn)存(cún))市(shì)场份额约为 96.76%,三(sān)星电子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市公司中,江(jiāng)波(bō)龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂商为公司供应商(shāng)。

  美(měi)光在(zài)江波龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降,至(zhì)少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商(shāng)。

  公告显示, 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商cpb属于哪个档次的,cpb属于什么档次的,采购约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé)第(dì)三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储(chǔ)产业链上下(xià)游(yóu)建立(lì)国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì),江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光、西部数(shù)据等主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合(hé)约,确保存储晶圆供应的稳定性,巩固(gù)公司在(zài)下游(yóu)市场的供应优势,公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良好(hǎo)的(de)合作。

  有券商此前就分析,如果美光在中国区销售受(shòu)到限制,或将导致(zhì)下游客户转而(ér)采购国外三星、 SK海力士,国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

  分析称(chēng),长存(cún)、长鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存(cún)储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代,2 维到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤,同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60:1的深孔,未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露(lù),薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开(kāi)支合计为cpb属于哪个档次的,cpb属于什么档次的75%。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单,设备(bèi)国产化进程加速,看(kàn)好拓荆(jīng)科(kē)技(薄膜沉积(jī))等相(xiāng)关公司份额提升,以(yǐ)及存储业(yè)务占比较高的华海清科(kē)(CMP)、盛(shèng)美(měi)上海(清洗)等收入增长(zhǎng)。

 

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