大(dà)家(jiā)好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了(le)网络安全(quán)审(shěn)查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存(cún)在较严重网络安全问题(tí)隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国(guó)家(jiā)安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络(luò)安全审查的(de)结论。按(àn)照《网络(luò)安全法(fǎ)》等(děng)法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设(shè)施的运营者应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服务进入中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发文(wén)称，为(wèi)保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全，防(fáng)范产品(pǐn)问题隐(yǐn)患(huàn)造成(chéng)网络安全风(fēng)险，维(wéi)护(hù)国家安全(quán)，依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网(wǎng)络安(ān)全(quán)审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力什么的山峰填合适的词二年级，什么的山峰填合适的词三年级士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维(wéi)存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显(xiǎn)著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供应商(shāng)采购金(jīn)额占(zhàn)比(bǐ)分别是(shì)26.2什么的山峰填合适的词二年级，什么的山峰填合适的词三年级8％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆(yuán)供应的(de)稳定性，巩固(gù)公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在中(zhōng)国区(qū)销售受到限(xiàn)制，或将导致下游客户转而(ér)采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或(huò)从中受益。存(cún)储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未(wèi)来(lái)可能(néng)会更深(shēn)的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生(shēng)更多设(shè)备需(xū)求。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存(cún)储被加入(rù)美国限制(zhì)名单(dān)，设备(bèi)国产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公(gōng)司(sī)份额提升，以及存储业务(wù)占比较高(gāo)的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增(zēng)长。

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