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　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网信(xìn)办(bàn)消息(xī)，日前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光(guāng)公司产(chǎn)品存在较(jiào)严重网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键信息基础设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为此，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室依法作出不(bù)予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止(zhǐ)采购美光公司产品。

　　此次(cì)对(duì)美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审查，目(mù)的是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全(quán)的必(bì)要措施(shī)。中(zhōng)国(guó)坚定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和国(guó)国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存(cún)储(chǔ)芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部(bù)数据、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江波(bō)龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建(jiàn)立国内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星(xīng)、美(měi)光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合(hé)约，确保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下(xià)游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公(gōng)司也与国内国(guó)产(chǎn)存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存(cún)储、长鑫存储等(děng)竞(jìng)对产品

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来(lái)可(kě)能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉(chén)积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加(jiā)入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

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