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　　美光公司(sī)在华销售的产(chǎn)品未通过网络安(ān)全审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销(xiāo)售产品进(jìn)行了(le)网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公司产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安全。为此，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依(yī)法作出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网(wǎng)络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题(tí)危害国(guó)家关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维护国家安全，依据《中华人民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施(shī)网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(dià水密码适合什么年龄，水密码适合什么年龄段的女生使用n)子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储等(děng)公司披露过(guò)美光等国际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙(lóng)采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美(měi)光位列(liè)江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应商采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储(chǔ)产业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在下游市场(chǎng)的(de)供应(yīng)优势，公司(sī)也(yě)与国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合(hé)肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就(jiù)分析，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区销售受到限制，或将导致下游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三(sān)星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储器的(de)生(shēng)产(chǎn)已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的(de)加(jiā)工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄(báo)膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披(pī)露，薄膜沉积设(shè)备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好拓荆科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司(sī)份额提升，以(yǐ)及(jí)存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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