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　　美光公司在(zài)华销售的产品未通过网络安全审查(chá)

　　据(jù)网信办消(xiāo)息(xī)，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光(guāng)公司在华销售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了(le)网络安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公(gōng)司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链造(zào)成昆虫界的老大是谁，世界最强虫王第一名重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予(y昆虫界的老大是谁，世界最强虫王第一名ǔ)通过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络(luò)安全法》等(děng)法律(lǜ)法规(guī)，我(wǒ)国内关(guān)键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全(quán)问题危害国家关键信息基(jī)础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平对(duì)外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各(gè)类(lèi)平台产品服务(wù)进入(rù)中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护(hù)国家安(ān)全(quán)，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国网络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络安全审查办公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法(fǎ)》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业(yè)龙头，也(yě)是全球存储(chǔ)芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年(nián)收入来(lái)自(zì)中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子(zi)、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司披露过美(měi)光等国际存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江波龙采(cǎi)购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存(cún)储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大(dà)和第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年(nián)年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉(hàn)长江(jiāng)存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的(de)孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东(dōng)京电子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自(zì)长江存储被加入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份(fèn)额(é)提升，以及存储业务占比(bǐ)较高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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