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　　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通(tōng)过反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数(guò)网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美(měi)光(guāng)公司在华销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成重大(dà)安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网络(luò)安全(quán)审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查的结(jié)论。按(àn)照《网络安(ān)全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络安全审查，目的(de)是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国(guó)家安(ān)全的(de)必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开(kāi)放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国(guó)企业、各(gè)类平台产品服务进入中国市场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文(wén)称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息(xī)基(jī)础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险，维护国(guó)家(jiā)安全，依据《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民共和(hé)国网络(luò)安全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审(shěn)查(chá)办法》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等(děng)国际存(cún)储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江(jiāng)波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿(yì)元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙(lóng)第一大、第二大和第三大供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内(nèi)外广泛合作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了(le)长期合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司也(yě)与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售(shòu)受到限制(zhì)，或将导致(zhì)下游(yóu)客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等(děng)竞对(duì)产品(pǐn)

　　分(fēn)析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。存储器的(de)生产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数 NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为(wèi)最反正切函数的导数推导过程，反正弦函数的导数关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备。3D NAND每层均(jūn)需(xū)要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目(mù)前前沿(yán)要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业务(wù)占比较(jiào)高的(de)华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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