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　　美光公(gōng)司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安全审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网(wǎng张镇风现在干嘛呢张镇风现状简介，张镇风现在在干嘛)络安全审查办公室依(yī)法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在(zài)华(huá)销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设(shè)施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公(gōng)室依法作(zuò)出不予通(tōng)过(guò)网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络安(ān)全审查，目的是防(fáng)范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施(shī)安全，是维护国家安全的(de)必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础设施供应(yīng)链安全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据《中(zhōng)华人民共(gòng)和国国(guó)家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施(shī)网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入(rù)从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存(cún)储等公司(sī)披露(lù)过美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第(dì)二大和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商(shāng)采购张镇风现在干嘛呢张镇风现状简介，张镇风现在在干嘛金(jīn)额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公(gōng)司在下游市场的(de)供应(yīng)优势(shì)，公司也与国内国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现(xiàn)在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄(báo)膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目(mù)前(qián)前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程加速，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积(jī)）等(děng)相(xiāng)关公司份额提升，以及(jí)存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入增(zēng)长(zhǎng)。

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