大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售的(de)产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消(xiāo)息，日(rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华(huá)销售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链造成重大安(ān)全(quán)风险，影响我国国家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安(ān)全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施的运(yùn)营(yíng)者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对(duì)美光(guāng)公司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品(pǐn)网络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中女人出国能干什么工作，女人出国打工都有什么工作国坚定推进(jìn)高水平对外(wài)开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台(tái)产品(pǐn)服务(wù)进入(rù)中国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造(zào)成(chéng)网络(luò)安全风险，维护国家安全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全(quán)法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华(huá)销售的(de)产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披(pī)露过美光等国际存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显(xiǎn)示(shì)，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司(sī)在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与国内女人出国能干什么工作，女人出国打工都有什么工作国产存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储(chǔ)、合肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有券(quàn)商此前就分析，如果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从(cóng)中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催(cuī)生(shēng)更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计(jì)为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入(rù)美国(guó)限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看(kàn)好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的(de)华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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